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汞CV測(cè)試系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:汞CV測(cè)試系統(tǒng),用于對(duì)外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測(cè)試;

MCV-530L可測(cè)最大200mm的樣品。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-11-08
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:178

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品牌波銘科儀價(jià)格區(qū)間面議
應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,食品,生物產(chǎn)業(yè),綜合

Capability:

  • Epi layer characterization
    -Dopant Profile-N(x)
    -Resistivity Profile-p(x)

  • Gate metrology
    -Oxide thickness-EOT
    -Flatland, threshold voltage-VFB,VT
    Effective oxide charge-QEFF
    -Dielectric constant-k
    -Interface state density-Dit

  • IV measurements of low-k dielectricsStepped voltage, stepped current,
    .Constant current modes
    -Leakage current-lL
    -VBDfor HMET
    -Field-to-breakdown-FBD
    -KSB, tsb,QBD, Vmax

汞CV測(cè)試系統(tǒng) 汞CV測(cè)試系統(tǒng)









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