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硅探測器

簡要描述:硅探測器
? 室溫型探測器
? 使用范圍:200-1100nm
? 兩種型號(hào)的探測器室的外觀相同,其中:
? DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測器
? DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測器

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-11-08
  • 訪  問  量:1380

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詳細(xì)介紹

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硅探測器

• 室溫型探測器

• 使用范圍:200-1100nm

• 兩種型號(hào)的探測器室的外觀相同,其中:

• DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測器

• DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測器

技術(shù)指標(biāo)\型號(hào)名稱

DT-Si200 紫敏硅探測器

DT-Si300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測器

 

進(jìn)口紫外增強(qiáng)型

進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型

有效接收面積(mm2)

100(Φ11.28)

100(Φ11.28)

波長使用范圍(nm)

200-1100

350-1100

峰值波長(nm),典型值

820nm

970nm

峰值波長響應(yīng)度(A/W)

0.52

0.60(>0.55)

典型波長的響應(yīng)度(A/W)

0.14(>0.09)@254nm

0.20(>0.15)@410nm

響應(yīng)時(shí)間(μs)

5.9

2

工作溫度范圍(℃)

-10~+60

-10~+60

儲(chǔ)存溫度范圍(℃)

-20~+70

-20~+70

分流電阻RSH(MΩ)

10(>5)

(>10)

等效噪聲功率NEP(W/√Hz)

4.5×10-13

2.0×10-13

*大操作電流(mA@0V bias)

0.1

10.0

結(jié)電容(pf@0V bias)

4500

8800

信號(hào)輸出模式

電流

電流

輸出信號(hào)極性

正(P)

正(P)

 

硅探測器 

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